随着自动化技术的进步，在工业设施中，除了液柱 式压力计、弹性式压力表外，目前更多的是采用可 将压力转换成电信号的压力变送器和传感器。那么 这些压力变送器和传感器是如何将压力信号转换为 电信号的呢？不同的转换方式又有什么特点呢？今 天仪控君为大家汇总了目前常见的几种压力传感器 的测量原理，希望能对大家有所帮助。

  电容式压力传感器是一种利用电容作为敏感元件，将被测压力转换成电容值改变的压力 传感器。这种压力传感器一般都会采用圆形金属薄膜或镀金属薄膜作为电容器的一个电极， 当薄膜感受到压力而变形时，薄膜与固定电极之间形成的电容量发生明显的变化，经过测量电路 即可输出与电压成一定关系的电信号。电容式压力传感器属于极距变化型电容式传感器 ，可分为单电容式压力传感器和差动电容式压力传感器。

  当应力发生明显的变化的时候，电场的变化很小很小，其他的一 些压电晶体就会替代石英。酒石酸钾钠，它是具有很大的 压电系数和压电灵敏度的，但是，它只能够正常的使用在室内的 湿度和温度都比较低的地方。磷酸二氢胺是一种人造晶体 ，它可以在很高的湿度和很高的温度的环境中使用，所以 ，它的应用是十分普遍的。随技术的发展，压电效应也 已经在多晶体上得到应用了。例如：压电陶瓷，铌镁酸压 电陶瓷、铌酸盐系压电陶瓷和钛酸钡压电陶瓷等等都包括 在内。

  在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而 在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁 场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会发生偏移，此称为霍尔效应。而产生的 内建电压叫做霍尔电压。 当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间 极短，故其响应频率高。理想霍尔元件的材料要求要有较高的电阻率及载流子迁移率， 从而方便获得较大的霍尔电动势。常用霍尔元件的材料大多是半导体，包括N型硅(Si)、锑化 铟(InSb)、砷化铟InAs)、锗(Ge)、砷化镓GaAs)及多层半导体质结构材料，N型硅的霍尔系 数、温度稳定性和线性度均较好，砷化镓温漂小，目前应用。

  霍尔压力传感器是基于某一些半导体材料的霍尔效应制 成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内， 且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而 偏向一边，继而会产生电压（霍尔电压）的现象。电压 所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极 性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（ 自由电子）之运动所造成。

  以压电效应为工作原理的传感器，是机电转换式和自发电 式传感器。它的敏感元件是用压电的材料制作而成的，而 当压电材料收到外部作用力作用的时候，它的表面会形成电荷， 电荷会通过电荷放大器、测量电路的放大以及变换阻抗以 后，就会被转换成为与所受到的外力成正比关系的电量输 出。它是用来测量力以及可以转换成为力的非电物理量， 例如： 加速度和压力。它有很多优点：重量较轻、工作可靠、结 构很简单、信噪比很高、灵敏度很高以及信频宽等等。但 是它也存在着某些缺点：有部分电压材料忌潮湿，因此需 要采取一系列的防潮措施，而输出电流的响应又比较差， 那就要使用电荷放大器或者高输入阻抗电路来弥补这个缺 点，让仪器更好地工作。

  变磁阻式压力传感器主 要部件是铁芯跟膜片。 它们跟之间的气隙形成 了一个磁路。当有压力 作用时，气隙大小改变 ，即磁阻发生了变化。 如果在铁芯线圈上加一 定的电压，电流会随着 气隙的变化而变化，从 而测出压力。 在磁通密度高的场合，铁 磁材料的导磁率不稳定， 这种情况下可以采用变磁 导式压力传感器测量。变 磁导式压力传感器用一个 可移动的磁性元件代替铁 芯，压力的变化导致磁性 元件的移动，从而磁导率 发生改变，由此得出压力 值。

  多种利用电磁原理的传感器统称，主要包括电感压力传感器、霍尔压力传感器、电涡流 压力传感器等。 电感压力传感器 电感式压力传感器的工作原理是由于磁性材料和磁导率不同，当压力作用于膜片时，气 隙大小发生改变，气隙的改变影响线圈电感的变化，处理电路可以把这个电感的变化转 化成相应的信号输出，从而达到测量压力的目的。该种压力传感器按磁路变化可以分为 两种：变磁阻和变磁导。电感式压力传感器的优点在于灵敏度高、测量范围大；缺点就 是不能应用于高频动态环境。

  压阻压力传感器主要基于压阻效应（Piezoresistive effect）。压阻效应是用来描述材料在 受到机械式应力下所产生的电阻变化。不同于上述压电效应，压阻效应只产生阻抗变化 ，并不会产生电荷。 大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远 大于金属。由于硅是现今集成电路的主要，以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非 常有意义。的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变，而且也来自材料本身与应力 相关的电阻，这使得其程度因子大于金属数百倍之多。N型硅的电阻变化主要是由于其三 个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布，进而使得电子在不同 流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效质量 (effective mass)的变化。在P型硅中，此现象变得更复杂，而且也导致等效质量改变及电 洞转换。

  压阻压力传感器一般通过引线接入惠斯登电桥中。平时敏感芯体没有外加压力作用，电 桥处于平衡状态（称为零位），当传感器受压后芯片电阻发生变化，电桥将失去平衡。 若给电桥加一个恒定电流或电压电源，电桥将输出与压力对应的电压信号，这样传感器 的电阻变化通过电桥转换成压力信号输出。电桥检测出电阻值的变化，经过放大后，再 经过电压电流的转换，变换成相应的电流信号，该电流信号通过非线性校正环路的补偿 ，即产生了输入电压成线mA的标准输出信号。 为减小温度变化对芯体电阻值的影响，提高测量精度，压力传感器都采用温度补偿措施 使其零点漂移、灵敏度、线性度、稳定性等技术指标保持较高水平。

  压电式压力传感器主要基于压电效应（Piezoelectric effect），利用电气元件和其他机械把待测的压力转换成为 电量，再进行相关测量工作的测量精密仪器，比如很多压 力变送器和压力传感器。压电传感器不可以应用在静态的 测量当中，原因是受到外界的力的作用后的电荷，当回路有无限 大的输入抗阻的时候，才可以得以保存下来。但是实际上 并不是这样的。因此压电传感器只可以应用在动态的测量 当中。它主要的压电材料是：磷酸二氢胺、酒石酸钾钠和 石英。压电效应就是在石英上发现的。