之是由三个硅晶片结合而成。为得到很好作用的结合三个硅晶片都是需求严厉的外表处理，这样的话才能使的作用愈加完美，对硅晶片的精度操控取决操作时的空间所以一定要挑选在真空中来结合晶片。

  电容的制造原理是根据单面触摸式电容压力感应器。当感应器的受压膜片与基底间隔十分近的时侯，膜片受压后与基底触摸，当压力数值变化时，经过改动触摸面积的巨细来改动电容量。双面触摸式电容压力感应器的电容由两个部分所组成：一部分为梁受压后，还没有触摸到衬底上的绝缘层时构成的电容，此电容类似于惯例的电容压力感应器，这一部分只占触摸式电容压力感应器的电容量的很小一部分；另一部分是梁触摸到衬底后构成的电容，这部分电容量才是作业的电容量，并且它占主导地位，较多选用的是国产品牌电容。当压力添加时，梁与衬底的触摸面积添加，一起梁与衬底的非触摸部分削减。刚开端，电容主要由非触摸部分供给，跟着压力的添加，梁开端触摸衬底的绝缘层后，非触摸部分供给的电容慢慢地削减，而触摸部分供给的电容与触摸面积将呈线性添加。因为绝缘层十分薄，因而当梁开端与衬底上的绝缘层触摸后，触摸面积所供给的电容将占主导地位。

  双面触摸式压力感应器的缺陷无非是硅晶体的易腐蚀性，影响的要素在晶体的类型，溶液的浓度，以及温度的影响。相同关于温度要素对许多类型的仪器材都有影响，所以咱们在运用的时分要注意对温度的操控，温度假如在10度左右是腐蚀速度最快的，假如溶液的浓度越大，腐蚀的速度也就越慢。双面触摸式压力感应器长处仍是远大于单片式，他不只灵敏度较高，并且关于相同巨细的器材，双面触摸式电容压力传感器的电容量和灵敏度高出单面触摸式电容压力传感器1倍，受环境影响也比单片式小得多。